Crescita e caratterizzazione di CdTe epitassiale per l'applicazione a rivelatori di raggi X a stato solido
Autore
Vincenzo Signore - Università degli Studi di Lecce - [2001-02]
Documenti
Abstract
Lo scopo di questo lavoro è stato quello di misurare le caratteristiche elettriche (resistività, mobilità e concentrazione di portatori) del CdTe cresciuto e di ottenere dai dati di tali misure nuove informazioni sul materiale e sull’influenza della stechiometria del CdTe policristallino di partenza sulla crescita.
Il presente lavoro di tesi è così organizzato:
nel capitolo 1 si fa una rapida descrizione dei rivelatori nucleari a semiconduttore, spiegandone il meccanismo di funzionamento, e ci si sofferma, poi, sui rivelatori a CdTe, illustrando le caratteristiche di tale materiale;
nel capitolo 2 si descrivono il processo di crescita per trasporto di H2 e le caratteristiche del CdTe ottenuto con tale metodo;
nel capitolo 3 si descrivono gli apparati sperimentali di crescita del CdTe e del ZnTe;
nel capitolo 4 si illustrano la teoria dell’effetto Hall e la procedura per le misure di caratterizzazione;
nel capitolo 5 si presentano i risultati finali delle misure di caratterizzazione effettuate.
Il presente lavoro di tesi è così organizzato:
nel capitolo 1 si fa una rapida descrizione dei rivelatori nucleari a semiconduttore, spiegandone il meccanismo di funzionamento, e ci si sofferma, poi, sui rivelatori a CdTe, illustrando le caratteristiche di tale materiale;
nel capitolo 2 si descrivono il processo di crescita per trasporto di H2 e le caratteristiche del CdTe ottenuto con tale metodo;
nel capitolo 3 si descrivono gli apparati sperimentali di crescita del CdTe e del ZnTe;
nel capitolo 4 si illustrano la teoria dell’effetto Hall e la procedura per le misure di caratterizzazione;
nel capitolo 5 si presentano i risultati finali delle misure di caratterizzazione effettuate.
Questa tesi è correlata alle categorie
segnala questa pagina ::.